东京电子成功开发出可生产400层3DNAND闪存设备

IT之家 10 月 17 日报道，为了追赶林氏集团（Lam），东京伟力科技/东京电子（ Weli / ）成功开发出可生产 400 层 3D NAND 闪存的设备。 估计这项技术可以给公司带来数据。 净利润达十亿美元。

生产3D NAND需要专门的设备，目前主要由美国公司Lam 控制。 IT之家今年 6 月报道，东京电子开发出一种新的蚀刻技术，首次将电蚀刻应用带入低温范围，并创造性地发明了一种具有极高蚀刻速率的系统。

东京威力希望通过这项技术挑战林氏集团。 与现有方法相比，新的蚀刻方法将生产率提高至少2.5倍。

东京伟力科技表示，这项技术对环境的有害影响非常小。 该公司预计，客户完成安​​装调试后，可在未来2-3年内开始生产400层3D NAND存储器； 预计到2027年，该领域的产能将是今年的四倍，达到20亿美元。

东京电子上一财年销售的蚀刻设备价值不超过39亿美元，约占其总销售额的四分之一。 在新技术的帮助下，该公司预计其核心销售额至少将增加一倍。

去年销售额达200亿美元的半导体行业蚀刻系统市场中，东京电子以25%的份额位居第二，而美国林氏公司继续领先，占据市场半壁江山。

过去五年，东京电子的研发支出增长了77%，今年的研发支出预计将达到13.4亿美元的历史新高（IT之家注：目前约为97.95亿元人民币）。