2023年HBM需求将同比增长58%，SK海力士和三星

IT之家10月12日报道，人工智能浪潮下，市场需求持续激增，HBM技术成为关注焦点。 全球市场研究公司预计，2023年HBM需求将同比增长58%，2024年可能进一步增长约30%。

HBM全称High，是一种新型CPU/GPU内存芯片，将许多DDR芯片堆叠在一起，与GPU封装在一起，实现大容量、高位宽的DDR组合阵列。

与传统DRAM相比，HBM具有高带宽、高容量、低延迟、低功耗等优势，特别适合高性能计算场景。

IT之家注：自 2014 年推出首款采用 TSV 封装技术的 HBM 产品以来，HBM 技术经历了多次升级，包括 HBM、HBM2、HBM3 和 HBM。

目前，走在HBM3研发前沿的两家公司是SK海力士和三星。 的H100/H800和AMD的系列AI加速卡均采用HBM3。

SK海力士和三星预计将在2024年第一季度提供样品。另一方面，美国内存公司美光正在绕过HBM3，直接追求。

它将采用24Gb单晶芯片堆叠，并采用8层（8Hi）配置，单芯片容量将飙升至24GB。

预计2025年合并，导致三大整车厂计划在2024年第一季度放样，下半年进入量产。

除了HBM3和HBM之外，最新的更新表明存储巨头还计划推出下一代HBM——HBM4。

三星近日宣布已开发出9.并计划向客户提供样品。 此外，三星正在积极开发 HBM4，目标是在 2025 年开始出货。

据报道，三星电子正在开发非导电粘合膜 (NCF) 组件等组件，以优化 HBM4 产品的高温热特性和混合键合 (HCB)。

虽然 HBM4 有望取得重大突破，但距离实现仍有很长的路要走，因此现在讨论其实际应用和广泛采用还为时过早。 业内专家强调，HBM市场目前由HBM主导。 不过，HBM3 有望在不久的将来占据领先地位。

预计，2023年主流需求将转向HBM3，需求占比分别约为50%和39%。 随着更多基于 HBM3 的加速器芯片进入市场，需求将在 2024 年显着转向 HBM3，预计将超过 60% 的市场份额。

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